IT之家 12 月 12 日音信，韩媒 chosun 昨日（12 月 11 日）发布博文，报说念称三星电子高管显现，第 2 代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺参加踏实阶段jav 黑丝，并称 System SLI 和代工场行状部之间已收场“相互推诿背负”，改而和解鼓舞新芯片商用。

Exynos 2500 的研发认识是 Galaxy S25 系列，但受三星晶圆代工（ Foundry）行状部 3 纳米制程良率低下的制约，以及性能方面过期于高通骁龙系列的成分，导致整个这个词转移 AP 业务堕入危急。

而最新音信称三星已处理 3 纳米良率问题，为 Exynos 2500 的诈欺铺平了说念路，但叙述中并未说起具体良率比例。

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图源：三星

三星电子高管向该媒体显现，IT之家翻译如下：

在 3 纳米第 2 代晶圆代工工艺中，初度诈欺了全环绕晶体管（GAA）时间，如简直量产方面际遇了一些贫寒。

但现时工艺如故踏实，开动量产仅仅时辰问题。由于初期产量不及，Galaxy S25 系列可能难以搭载该时间，但 Z Flip 系列（应该是指 Galaxy Z Flip7 和 Galaxy Z Flip FE）全皆不错搭载该芯片。

一直以来，Exynos 2500 的交易化之路并不堪利，晶圆代工行状部和系统 LSI 行状部之间相互推诿背负是事实。然而现时，为了踏实工艺，两边已达成左券，最大截止地加强和解。

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